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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT20040
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5643871MURT20040-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURT20040

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURT20040
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.35V @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    90ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MURT20040GN
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 400V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A (DC)
MURT30010R

MURT30010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20020R

MURT20020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10060R

MURT10060R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20020

MURT20020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30020R

MURT30020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20010

MURT20010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10040R

MURT10040R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20005

MURT20005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20005R

MURT20005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10040

MURT10040

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30040

MURT30040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30005

MURT30005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30005R

MURT30005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20010R

MURT20010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20060R

MURT20060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30020

MURT30020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20040R

MURT20040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT10060

MURT10060

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT20060

MURT20060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT30010

MURT30010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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