Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT20005R
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
222184MURT20005R-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
50+
$63.403
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURT20005R
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.MURT20005R.pdf
    2.MURT20005R.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 100A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MURT20005RGN
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Anode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200A (DC)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

2024/12/4

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

2024/12/2

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

2024/11/29

Trumps Tarifbedrohung, Nvidia, Intel -Lieferanten, bewerten...

2024/11/28

Intel erhält Subventionen in Höhe von 7,86 Milliarden US ...

2024/11/27
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "MURT20005R" -Einziper.
MURT20020R

MURT20020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10040R

MURT10040R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10020R

MURT10020R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10020

MURT10020

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 200V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10010R

MURT10010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20040

MURT20040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20010

MURT20010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10010

MURT10010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10040

MURT10040

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20020

MURT20020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20060

MURT20060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10005R

MURT10005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10060

MURT10060

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 600V 100A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT10060R

MURT10060R

Beschreibung: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20010R

MURT20010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20060R

MURT20060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20040R

MURT20040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT20005

MURT20005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT30005R

MURT30005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MURT30005

MURT30005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsNachrichtSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.