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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT30005

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MURT30005-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MURT30005

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Spezifikation

Artikelnummer

MURT30005
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MURT30005.pdf
2.MURT30005.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 150A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

50V
Supplier Device-Gehäuse

Three Tower
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

100ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Three Tower
Andere Namen

MURT30005GN
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 50V 300A (DC) Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

300A (DC)

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Das Folgende sind "MURT30005" -Einziper.

MURT20020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT20005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

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MURT20060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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