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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT40005R

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MURT40005R-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MURT40005R

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25+

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Spezifikation

Artikelnummer

MURT40005R
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MURT40005R.pdf
2.MURT40005R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

50V
Supplier Device-Gehäuse

Three Tower
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

125ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Three Tower
Andere Namen

MURT40005RGN
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

400A (DC)

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Das Folgende sind "MURT40005R" -Einziper.

MURT40040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA200120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA200120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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