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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT40060R
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4034803MURT40060R-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURT40060R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURT40060R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 200A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    240ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Andere Namen
    MURT40060RGN
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Anode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400A (DC)
MURTA20020R

MURTA20020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA20060

MURTA20060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40040

MURT40040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA200120R

MURTA200120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40020

MURT40020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40010R

MURT40010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA200120

MURTA200120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA300120R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40020R

MURT40020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40040R

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Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40010

MURT40010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40005

MURT40005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA20020

MURTA20020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURT40005R

MURT40005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA20060R

MURTA20060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA20040R

MURTA20040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA20040

MURTA20040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
MURTA300120

MURTA300120

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURT40060

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Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

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