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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURT40040R

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737405

MURT40040R-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

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vorrätig

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Spezifikation

Artikelnummer

MURT40040R
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.MURT40040R.pdf
2.MURT40040R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.35V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

400V
Supplier Device-Gehäuse

Three Tower
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

180ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Three Tower
Andere Namen

1242-1098
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard, Reverse Polarity
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard, Reverse Polarity 400V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

25µA @ 50V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

200A (DC)

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Das Folgende sind "MURT40040R" -Einziper.

MURTA20040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA200120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40005R

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30040R

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060R

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40010R

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA200120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40005

Beschreibung: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40010

Beschreibung: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40040

Beschreibung: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT30060

Beschreibung: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURT40020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

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