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4369515MURTA30060R-Bild.GeneSiC Semiconductor

MURTA30060R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MURTA30060R
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MURTA30060R.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 150A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Three Tower
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Three Tower
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    4 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Anode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 150A Chassis Mount Three Tower
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    150A

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MURTA500120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA300120

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

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MURTA20060R

MURTA20060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA500120

MURTA500120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA20060

MURTA20060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA40040R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
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MURTA40060R

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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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Hersteller: GeneSiC Semiconductor
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MURTA40020

MURTA40020

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MURTA30020R

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