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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > MURTA400120R

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MURTA400120R-Bild.

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

18+

$79.682

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

MURTA400120R
Hersteller / Marke

GeneSiC Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

MURTA400120R.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2.6V @ 200A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1200V
Supplier Device-Gehäuse

Three Tower
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

Three Tower
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Anode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 200A Chassis Mount Three Tower
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

25µA @ 1200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

200A

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Das Folgende sind "MURTA400120R" -Einziper.

MURTA50020

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA300120R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA500120R

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30040R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA50020R

Beschreibung: DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA400120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40040

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA300120

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA500120

Beschreibung: DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40020R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA20060R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA40020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30020

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

MURTA30060

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

vorrätig

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