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1443662S12Q-Bild.GeneSiC Semiconductor

S12Q

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$5.419
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12Q
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S12Q.pdf
    2.S12Q.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    12A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    1242-1235
    S12QGN
    S12QGN-ND
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S12Q
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1200V (1.2kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "S12Q" -Einziper.
S12MC V6G

S12MC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12M

S12M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12ZVMC12EVBCAN

S12ZVMC12EVBCAN

Beschreibung: BOARD EVAL S12ZVM

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12ZVMBEVB

S12ZVMBEVB

Beschreibung: S12ZVMBEVB EVALUATION BOARD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12QR

S12QR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12ZVML12EVBLIN

S12ZVML12EVBLIN

Beschreibung: BOARD EVAL S12ZVM

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC V7G

S12MC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC R7G

S12MC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MD3

S12MD3

Beschreibung: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
S12VR64EVB

S12VR64EVB

Beschreibung: BOARD EVAL S12VR64 MCU

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Beschreibung: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12ZVML-MINIBRD

S12ZVML-MINIBRD

Beschreibung: LOW COST S12ZVML BLDC MC REFEREN

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12VR64EVB3

S12VR64EVB3

Beschreibung: S12VR64 EVAL BOARD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12ZVM32EVB

S12ZVM32EVB

Beschreibung: S12ZVM32 EVALUATION BOARD FOR BL

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12ZVMC256EVB

S12ZVMC256EVB

Beschreibung: S12ZVMC256 EVALUATION BOARD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12MR

S12MR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12ME1FY

S12ME1FY

Beschreibung: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
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