Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S12M
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5603089

S12M

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$4.989
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12M
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S12M.pdf
    2.S12M.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    12A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    S12MGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S12M
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 1000V (1kV) 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "S12M" -Einziper.
S12MC V7G

S12MC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC V6G

S12MC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MR

S12MR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12Q

S12Q

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12JR

S12JR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12K

S12K

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12KR

S12KR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12MD3

S12MD3

Beschreibung: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
S12ME1FY

S12ME1FY

Beschreibung: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC R7G

S12MC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.