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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S12MC V7G
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6052648S12MC V7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12MC V7G

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$0.433
100+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S12MC V7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S12MC V7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 12A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S12MC V7GDKR
    S12MC V7GDKR-ND
    S12MCV7GDKR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    12A
  • Kapazität @ Vr, F
    78pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S12MC V7G" -Einziper.
S12M

S12M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KR

S12KR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12VR32EVB

S12VR32EVB

Beschreibung: EVALUATION BOARD FOR S12VR32EVB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12Q

S12Q

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12VR64EVB3

S12VR64EVB3

Beschreibung: S12VR64 EVAL BOARD

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12ME1FY

S12ME1FY

Beschreibung: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12VR64EVB

S12VR64EVB

Beschreibung: BOARD EVAL S12VR64 MCU

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
S12MD3

S12MD3

Beschreibung: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Hersteller: Sharp Microelectronics
vorrätig
RFQ
S12MC M6G

S12MC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MR

S12MR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
S12MC V6G

S12MC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12MC R7G

S12MC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S12QR

S12QR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
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