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S6M

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vorrätig
200+
$5.194
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    S6M
  • Hersteller / Marke
    GeneSiC Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.S6M.pdf
    2.S6M.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    6A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-4
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Andere Namen
    S6MGN
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S6M
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 1000V (1kV) 6A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 100V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 6A DO4
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 6A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "S6M" -Einziper.
DHG10I600PM

DHG10I600PM

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
GI1404-E3/45

GI1404-E3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3G R7G

ES3G R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UF3002-G

UF3002-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO27

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N6096

1N6096

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
RR2LAM4STR

RR2LAM4STR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP10G-138M3/54

GP10G-138M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DLM10C

DLM10C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1DFSHMXG

S1DFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 200V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRB16H60-E3/45

MBRB16H60-E3/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S6M

S6M

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
ER2A-LTP

ER2A-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
VIT2080S-E3/4W

VIT2080S-E3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 80V TO-262AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S3B R7G

S3B R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3DV V6G

ES3DV V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
12TQ150STR

12TQ150STR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 15A D2PAK

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
ES1B-M3/61T

ES1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S2KW12C-3D

S2KW12C-3D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 12KV 3A MODULE

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
VS-1N3212R

VS-1N3212R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S6MR

S6MR

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
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