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503467

GP1M003A050CG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M003A050CG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M003A050CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (max)

52W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

395pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M003A050CG" -Einziper.

GP1M004A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1L52VJ000F

Beschreibung: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A090C

GP1M003A090C

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1L57

GP1L57

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1L52V

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A090PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1L53V

Beschreibung: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Beschreibung: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A040PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Beschreibung: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Hersteller: Sharp Microelectronics

vorrätig

GP1M003A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

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