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GP1M003A090C

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP1M003A090C
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    94W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    1560-1157-1
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    748pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    900V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Tc)
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A050H

GP1M005A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M003A080H

GP1M003A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

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