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GP1M005A040PG-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M005A040PG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP1M005A040PG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M005A040PG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 1.7A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

522pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

400V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 400V 3.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.4A (Tc)

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Das Folgende sind "GP1M005A040PG" -Einziper.

GP1M005A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M004A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M004A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A090PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A090C

GP1M003A090C

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M003A080PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

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