Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > GP1M006A070FH

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

5965112

GP1M006A070FH-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M006A070FH

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GP1M006A070FH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M006A070FH.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Verlustleistung (max)

39W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

1560-1162-1
1560-1162-1-ND
1560-1162-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

700V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 700V 5A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "GP1M006A070FH" -Einziper.

GP1M008A025PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A070F

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M007A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M006A065PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M008A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M007A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M005A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.