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708624GP1M008A025PG-Bild.Global Power Technologies Group

GP1M008A025PG

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GP1M008A025PG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    52W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Andere Namen
    1560-1166-1
    1560-1166-1-ND
    1560-1166-5
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    423pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Tc)
GP1M006A070FH

GP1M006A070FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M008A050FG

GP1M008A050FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M007A090FH

GP1M007A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M008A025HG

GP1M008A025HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A050PG

GP1M008A050PG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GP1M007A090H

GP1M007A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP1M006A065PH

GP1M006A065PH

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

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