GP2D008A120C

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Spezifikation

Artikelnummer

GP2D008A120C
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE SCHTKY 1.2KV 24A TO252-2L
Bleifreier Status / RoHS Status

Nicht zutreffend / RoHS-konform
Datenblätte

GP2D008A120C.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 8A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1200V
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-2L (DPAK)
Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

Amp+™
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

0ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

1560-1235
1560-1235-5
1560-1235-5-ND
Betriebstemperatur - Anschluss

-50°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Not applicable / RoHS Compliant
Diodentyp

Silicon Carbide Schottky
detaillierte Beschreibung

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 24A (DC) Surface Mount TO-252-2L (DPAK)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

20µA @ 1200V
Strom - Richt (Io)

24A (DC)
Kapazität @ Vr, F

508pF @ 1V, 1MHz

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Das Folgende sind "GP2D008A120C" -Einziper.

GP2D005A120C

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

Hersteller: Global Power Technologies Group

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