GP2M004A065HG

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Spezifikation

Artikelnummer

GP2M004A065HG
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP2M004A065HG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

98.4W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

642pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 4A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Tc)

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Das Folgende sind "GP2M004A065HG" -Einziper.

GP2M004A065FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M004A065HG

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