GP2M005A060PGH

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Spezifikation

Artikelnummer

GP2M005A060PGH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP2M005A060PGH.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Verlustleistung (max)

98.4W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andere Namen

1560-1202-1
1560-1202-1-ND
1560-1202-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

658pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 4.2A (Tc) 98.4W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.2A (Tc)

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Das Folgende sind "GP2M005A060PGH" -Einziper.

GP2M008A060FG

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP2M005A060PGH

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