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4941956GSID150A120S5C1-Bild.Global Power Technologies Group

GSID150A120S5C1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GSID150A120S5C1
  • Hersteller / Marke
    SemiQ
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1200V 285A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    GSID150A120S5C1.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1200V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 150A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    1087W
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    1560-1230
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    21.2nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    -
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 285A 1087W Chassis Mount Module
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    285A
  • Konfiguration
    Three Phase Inverter

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Das Folgende sind "GSID150A120S5C1" -Einziper.
GSID080A120B1A5

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

Beschreibung: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSIPBL

GSIPBL

Beschreibung: TRIP INDICATOR CONVERSION KIT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
GSID100A120T2P2

GSID100A120T2P2

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID100A120T2C1A

GSID100A120T2C1A

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID200A170S3B1

GSID200A170S3B1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

Beschreibung: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSIPBS

GSIPBS

Beschreibung: GSIPBS ADD-ON INDICATOR KIT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID200A120S5C1

GSID200A120S5C1

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 335A

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID100A120S5C1

GSID100A120S5C1

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 170A

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

Beschreibung: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
GSIB6A60N-M3/45

GSIB6A60N-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
GSIB6A80N-M3/45

GSIB6A80N-M3/45

Beschreibung: BRIDGE RECT 6A 800V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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GSID200A120S3B1

GSID200A120S3B1

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID300A120S5C1

GSID300A120S5C1

Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 430A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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