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6222957GSID300A125S5C1-Bild.Global Power Technologies Group

GSID300A125S5C1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    GSID300A125S5C1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    1250V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 300A
  • Supplier Device-Gehäuse
    Module
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    2500W
  • Verpackung / Gehäuse
    Module
  • Andere Namen
    1560-1240
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC-Thermistor
    Yes
  • Befestigungsart
    Chassis Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingangskapazität (Cíes) @ VCE
    30.8nF @ 25V
  • Eingang
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1250V 600A 2500W Chassis Mount Module
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1mA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    600A
  • Konfiguration
    Three Level Inverter
GSID150A120S6A4

GSID150A120S6A4

Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
GSIB6A80N-M3/45

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GSID100A120T2P2

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID200A120S3B1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

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GSIPBS

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GSIB6A80-E3/45

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Beschreibung: DIODE 6A 800V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GSID150A120S5C1

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Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID100A120S5C1

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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 170A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID150A120T2C1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID200A170S3B1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

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GSID100A120T2C1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

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GSID150A120S3B1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID600A120S4B1

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID300A120S5C1

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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 430A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID200A120S5C1

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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 335A

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSIB6A60N-M3/45

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Beschreibung: BRIDGE RECT 6A 600V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GSIB6A60-E3/45

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Beschreibung: DIODE 6A 600V GSIB-5S

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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GSID100A120T2C1A

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSID080A120B1A5

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GSIPBL

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Beschreibung: TRIP INDICATOR CONVERSION KIT

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