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876277IS41LV16100B-60KLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS41LV16100B-60KLI-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS41LV16100B-60KLI-TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    DRAM - EDO
  • Supplier Device-Gehäuse
    42-SOJ
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM - EDO Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 42-SOJ
  • Zugriffszeit
    30ns
IS41LV16100C-50KLI

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS41LV16100B-60TL-TR

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

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IS41LV16100C-50TI

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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IS41LV16100B-50TLI

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