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1033724IS41LV16100B-60TLI-TR-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS41LV16100B-60TLI-TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS41LV16100B-60TLI-TR
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.IS41LV16100B-60TLI-TR.pdf
    2.IS41LV16100B-60TLI-TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    DRAM - EDO
  • Supplier Device-Gehäuse
    44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM - EDO Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    30ns

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL

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