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IS41LV16100D-50TLI

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    IS41LV16100D-50TLI
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    DRAM - EDO
  • Supplier Device-Gehäuse
    50/44-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    16Mb (1M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    DRAM - EDO Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 25ns 50/44-TSOP II
  • Zugriffszeit
    25ns
IS41LV16100B-60TLI

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

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IS41LV16100C-50TI

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