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IS61LP6436A-133TQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS61LP6436A-133TQ
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3.135 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    100-TQFP (14x20)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    100-LQFP
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    2 (1 Year)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    2Mb (64K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4ns 100-TQFP (14x20)
  • Uhrfrequenz
    133MHz
  • Zugriffszeit
    4ns
IS61LP6436A-133TQ-TR

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61LP6432A-133TQLI

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Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP

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IS61LF6436A-8.5TQI

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IS61LF6436A-8.5TQLI-TR

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IS61LP6432A-133TQLI-TR

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IS61LF6436A-8.5TQI-TR

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IS61LPD102418A-200B3I

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IS61LF51236B-7.5TQLI

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IS61LP6432A-133TQ

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IS61LP6436A-133TQLI

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IS61LPD102418A-250B3I

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