ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV12816L-10TL

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61LV12816L-10TL
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.IS61LV12816L-10TL.pdf
2.IS61LV12816L-10TL.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

44-TSOP II
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Andere Namen

706-1033
IS61LV12816L10TL
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

2Mb (128K x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Hersteller Standard Vorlaufzeit

8 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 10ns 44-TSOP II
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "IS61LV12816L-10TL" -Einziper.

IS61LV12824-10BL

Beschreibung: IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61LV12816L-10TL

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