ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61LV12824-10B

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61LV12824-10B
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS61LV12824-10B.pdf
2.IS61LV12824-10B.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

10ns
Spannungsversorgung

3.135 V ~ 3.6 V
Technologie

SRAM - Asynchronous
Supplier Device-Gehäuse

119-PBGA (14x22)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

119-BGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

3Mb (128K x 24)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Asynchronous Memory IC 3Mb (128K x 24) Parallel 10ns 119-PBGA (14x22)
Zugriffszeit

10ns

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Das Folgende sind "IS61LV12824-10B" -Einziper.

IS61LV12816L-8TL

Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61LV12824-10B

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