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578539IS61NVP51236B-200B3I-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NVP51236B-200B3I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IS61NVP51236B-200B3I
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS61NVP51236B-200B3I.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-TFBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-TBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (512K x 36)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3ns 165-TFBGA (13x15)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    3ns

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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