ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61NVP51236-200B3I

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61NVP51236-200B3I
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS61NVP51236-200B3I.pdf
2.IS61NVP51236-200B3I.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

2.375 V ~ 2.625 V
Technologie

SRAM - Synchronous
Supplier Device-Gehäuse

165-TFBGA (13x15)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LFBGA
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15)
Uhrfrequenz

200MHz
Zugriffszeit

3.1ns

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Das Folgende sind "IS61NVP51236-200B3I" -Einziper.

IS61NVP51236-200B3I-TR

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61NVP51236-200B3I

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