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2758395IS61QDB21M18A-250M3L-Bild.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61QDB21M18A-250M3L

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  • Artikelnummer
    IS61QDB21M18A-250M3L
  • Hersteller / Marke
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IS61QDB21M18A-250M3L.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.71 V ~ 1.89 V
  • Technologie
    SRAM - Synchronous, QUAD
  • Supplier Device-Gehäuse
    165-LFBGA (15x17)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    165-LBGA
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    18Mb (1M x 18)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    SRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-LFBGA (15x17)
  • Uhrfrequenz
    250MHz

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 100LQFP

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