ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61QDB22M18-250M3L

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Spezifikation

Artikelnummer

IS61QDB22M18-250M3L
Hersteller / Marke

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS nicht konform
Datenblätte

1.IS61QDB22M18-250M3L.pdf
2.IS61QDB22M18-250M3L.pdf
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.71 V ~ 1.89 V
Technologie

SRAM - Synchronous, QUAD
Supplier Device-Gehäuse

165-LFBGA (15x17)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

165-LBGA
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

36Mb (2M x 18)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

SRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS non-compliant
detaillierte Beschreibung

SRAM - Synchronous, QUAD Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 7.5ns 165-LFBGA (15x17)
Uhrfrequenz

250MHz
Zugriffszeit

7.5ns

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Das Folgende sind "IS61QDB22M18-250M3L" -Einziper.

IS61QDB21M18A-250B4LI

Beschreibung: IC SRAM 18M PARALLEL 165LFBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

vorrätig

IS61QDB22M18-250M3L

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