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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IXTA1R6N50D2

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IXTA1R6N50D2-Bild.

IXYS Corporation

IXTA1R6N50D2

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vorrätig

50+

$2.243

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IXTA1R6N50D2
Hersteller / Marke

IXYS / Littelfuse
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 1.6A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IXTA1R6N50D2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (IXTA)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 Ohm @ 800mA, 0V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

645pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.7nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Depletion Mode
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1.6A (Tc)

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Das Folgende sind "IXTA1R6N50D2" -Einziper.

IXTA1N200P3HV

Beschreibung: MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N055T2

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R4N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA220N055T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N085T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R4N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R6N100D2

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA220N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 220A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA220N055T

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 220A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N075T7

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N120P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA220N04T2-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1R6N100D2HV

IXTA1R6N100D2HV

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N170DHV

Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA200N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA20N65X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 20A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

IXTA1N100P

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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