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4155660BSC014NE2LSIATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC014NE2LSIATMA1

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  • Artikelnummer
    BSC014NE2LSIATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BSC014NE2LSIATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 74W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    BSC014NE2LSI
    BSC014NE2LSI-ND
    BSC014NE2LSIATMA1TR
    BSC014NE2LSITR-ND
    SP000911336
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Ta), 100A (Tc)

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BSC011N03LSATMA1

BSC011N03LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
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BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N03MSGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

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BSC014N03LSGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

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BSC016N04LSGATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

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BSC014N04LSTATMA1

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Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

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BSC016N03LSGATMA1

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