Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > BSC018NE2LSIATMA1

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

189110

BSC018NE2LSIATMA1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC018NE2LSIATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1+

$1.66

10+

$1.469

100+

$1.161

500+

$0.90

1000+

$0.711

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

BSC018NE2LSIATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC018NE2LSIATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 69W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC018NE2LSIATMA1CT
BSC018NE2LSICT
BSC018NE2LSICT-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

29A (Ta), 100A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "BSC018NE2LSIATMA1" -Einziper.

BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC019N06NSATMA1

BSC019N06NSATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC022N03S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC020N025S G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC020N03LSGATMA1

BSC020N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC019N04LSATMA1

BSC019N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC019N04LSTATMA1

BSC019N04LSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC020N03LSGATMA2

BSC020N03LSGATMA2

Beschreibung: LV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC020N03MSGATMA1

BSC020N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC019N04NSGATMA1

BSC019N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.