Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > BSC015NE2LS5IATMA1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
184686BSC015NE2LS5IATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC015NE2LS5IATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
5000+
$0.70
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    BSC015NE2LS5IATMA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BSC015NE2LS5IATMA1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TDSON-8
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerTDFN
  • Andere Namen
    SP001288138
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 12V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    25V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 25V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Ta), 100A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "BSC015NE2LS5IATMA1" -Einziper.
BSC016N03MSGATMA1

BSC016N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC011N03LSIATMA1

BSC011N03LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N03LSGATMA1

BSC016N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N03LSGATMA1

BSC014N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N03MSGATMA1

BSC014N03MSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

Beschreibung: DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.