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International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC030P03NS3GAUMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC030P03NS3GAUMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC030P03NS3GAUMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.1V @ 345µA
Vgs (Max)

±25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC030P03NS3 G
BSC030P03NS3 G-ND
BSC030P03NS3 GTR-ND
BSC030P03NS3G
BSC030P03NS3GAUMA1TR
SP000442470
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

25.4A (Ta), 100A (Tc)

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BSC030N03LSGATMA1

Beschreibung:

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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