International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC031N06NS3GATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC031N06NS3GATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC031N06NS3GATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 93µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta), 139W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC031N06NS3 G
BSC031N06NS3 G-ND
BSC031N06NS3 GTR
BSC031N06NS3 GTR-ND
BSC031N06NS3G
BSC031N06NS3GATMA1TR
SP000451482
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11000pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC031N06NS3GATMA1" -Einziper.

BSC034N03LSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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