International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC032NE2LSATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

BSC032NE2LSATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BSC032NE2LSATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

2.8W (Ta), 78W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

BSC032NE2LS
BSC032NE2LS-ND
BSC032NE2LSATMA1TR
BSC032NE2LSTR-ND
SP000854378
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 22A (Ta), 84A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Ta), 84A (Tc)

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Das Folgende sind "BSC032NE2LSATMA1" -Einziper.

BSC030N04NSGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSC032NE2LSATMA1

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