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3632945IPB065N15N3GE8187ATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB065N15N3GE8187ATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPB065N15N3GE8187ATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 270µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO263-7
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    300W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
  • Andere Namen
    IPB065N15N3 G E8187
    IPB065N15N3 G E8187-ND
    IPB065N15N3 G E8187TR-ND
    IPB065N15N3GE8187ATMA1TR
    SP000939336
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7300pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    93nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    150V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    130A (Tc)
IPB05N03LB

IPB05N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB06N03LA G

IPB06N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB05N03LB G

IPB05N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB06N03LB

IPB06N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB05N03LA G

IPB05N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB065N06L G

IPB065N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB06N03LB G

IPB06N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB06N03LAT

IPB06N03LAT

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB05N03LA

IPB05N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB060N15N5ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB070N06L G

IPB070N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPB06N03LA

IPB06N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPB06CN10N G

IPB06CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

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IPB072N15N3GE8187ATMA1

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Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

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IPB05N03LAT

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