International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06CN10N G

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB06CN10N G
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB06CN10N G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D²PAK (TO-263AB)
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

214W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB06CN10N G-ND
IPB06CN10NG
SP000096446
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9200pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "IPB06CN10N G" -Einziper.

IPB073N15N5ATMA1

Beschreibung: MV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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