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IPB06N03LAT-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB06N03LAT

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Spezifikation

Artikelnummer

IPB06N03LAT
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB06N03LAT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 40µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-3-2
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IPB06N03LAXTINTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2653pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 25V 50A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

50A (Tc)

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IPB065N15N3GE8187ATMA1

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB075N04LGATMA1

IPB075N04LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB070N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB065N15N3GATMA1

IPB065N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB072N15N3GE8187ATMA1

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06N03LB G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB080N06N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB081N06L3GATMA1

IPB081N06L3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB060N15N5ATMA1

IPB060N15N5ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB067N08N3GATMA1

IPB067N08N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB072N15N3GATMA1

IPB072N15N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

Beschreibung: MV POWER MOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB065N03LGATMA1

IPB065N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB065N10N3GATMA1

IPB065N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB065N06L G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB06N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB080N03LGATMA1

IPB080N03LGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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