Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPB180N03S4LH0ATMA1

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

430940

IPB180N03S4LH0ATMA1-Bild.

International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N03S4LH0ATMA1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

1000+

$1.825

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

IPB180N03S4LH0ATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 200µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO263-7-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.95 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Andere Namen

IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
IPB180N03S4LH0ATMA1TR
SP000555050
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

180A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "IPB180N03S4LH0ATMA1" -Einziper.

IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH TO262-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB16CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.