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1093915IPD105N03LGATMA1-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD105N03LGATMA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPD105N03LGATMA1
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO252-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    38W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    IPD105N03LGATMA1CT
    IPD105N03LGINCT
    IPD105N03LGINCT-ND
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1500pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 35A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    35A (Tc)
IPD12CN10NGBUMA1

IPD12CN10NGBUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD1-25-D-R

IPD1-25-D-R

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD100N06S403ATMA2

IPD100N06S403ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD1-25-S-K-R

IPD1-25-S-K-R

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD1-25-S-K

IPD1-25-S-K

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD100N04S4L02ATMA1

IPD100N04S4L02ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD100N04S402ATMA1

IPD100N04S402ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD1-25-S-K-M

IPD1-25-S-K-M

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD100N06S403ATMA1

IPD100N06S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
IPD1-25-S

IPD1-25-S

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD1-25-S-R

IPD1-25-S-R

Beschreibung: MINI-POWER CONNECTOR

Hersteller: Samtec, Inc.
vorrätig
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
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