International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGATMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD12CN10NGATMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD12CN10NGATMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (max)

125W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD12CN10NGATMA1-ND
IPD12CN10NGATMA1TR
SP001127806
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4320pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

67A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD12CN10NGATMA1" -Einziper.

IPD105N04LGBTMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD12CN10NGATMA1

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