International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD110N12N3GBUMA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPD110N12N3GBUMA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPD110N12N3GBUMA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO252-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 75A, 10V
Verlustleistung (max)

136W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

IPD110N12N3 G
IPD110N12N3 G-ND
IPD110N12N3 GTR
IPD110N12N3 GTR-ND
IPD110N12N3G
IPD110N12N3GBUMA1TR
SP000674466
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

120V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

75A (Tc)

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Das Folgende sind "IPD110N12N3GBUMA1" -Einziper.

IPD100N06S403ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPD110N12N3GBUMA1

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