International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI030N10N3GHKSA1

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Spezifikation

Artikelnummer

IPI030N10N3GHKSA1
Hersteller / Marke

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IPI030N10N3GHKSA1.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PG-TO262-3
Serie

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

300W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Andere Namen

IPI030N10N3 G
IPI030N10N3 G-ND
SP000469884
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "IPI030N10N3GHKSA1" -Einziper.

IPI037N08N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IPI030N10N3GHKSA1

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