Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > IPI032N06N3 G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4247485IPI032N06N3 G-Bild.International Rectifier (Infineon Technologies)

IPI032N06N3 G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    IPI032N06N3 G
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    IPI032N06N3 G.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 118µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PG-TO262-3
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    188W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Andere Namen
    IPI032N06N3 G-ND
    IPI032N06N3G
    SP000451490
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    120A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "IPI032N06N3 G" -Einziper.
IPI045N10N3GXKSA1

IPI045N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI037N06L3GHKSA1

IPI037N06L3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI032N06N3GAKSA1

IPI032N06N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI03N03LA

IPI03N03LA

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI029N06NAKSA1

IPI029N06NAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI041N12N3GAKSA1

IPI041N12N3GAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI045N10N3GXK

IPI045N10N3GXK

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI037N08N3GHKSA1

IPI037N08N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI04CN10N G

IPI04CN10N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI037N08N3GXKSA1

IPI037N08N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI024N06N3GXKSA1

IPI024N06N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI024N06N3GHKSA1

IPI024N06N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI028N08N3GHKSA1

IPI028N08N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPI030N10N3GHKSA1

IPI030N10N3GHKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.