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SIDC02D60F6X1SA1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SIDC02D60F6X1SA1
  • Hersteller / Marke
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    SIDC02D60F6X1SA1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.6V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Sawn on foil
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    SIDC02D60F6
    SIDC02D60F6-ND
    SP000013788
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 3A (DC) Surface Mount Sawn on foil
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    27µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    3A (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "SIDC02D60F6X1SA1" -Einziper.
SID1182KQ

SID1182KQ

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1152K-TL

SID1152K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC05D60C6X1SA2

SIDC05D60C6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC04D60F6X1SA3

SIDC04D60F6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 9A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC06D120F6X1SA2

SIDC06D120F6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Beschreibung: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC03D120H6X1SA3

SIDC03D120H6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1183K

SID1183K

Beschreibung: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC06D120E6X1SA3

SIDC06D120E6X1SA3

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC03D60F6X1SA2

SIDC03D60F6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC06D120H6X1SA4

SIDC06D120H6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1182K

SID1182K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
RFQ
SIDC06D120H8X1SA2

SIDC06D120H8X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 7.5A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SIDC03D60C6X1SA2

SIDC03D60C6X1SA2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
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