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1726436SID1152K-TL-Bild.Power Integrations

SID1152K-TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SID1152K-TL
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannungsversorgung
    4.75 V ~ 5.25 V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    -
  • Technologie
    Magnetic Coupling
  • Supplier Device-Gehäuse
    eSOP-R16B
  • Serie
    SCALE-iDriver™
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    225ns, 225ns (Max)
  • Pulsbreite Verzerrung (Max)
    -
  • Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max)
    340ns, 330ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads
  • Andere Namen
    1810-1073-2
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    5A Gate Driver Magnetic Coupling 5000Vrms 1 Channel eSOP-R16B
  • Strom - Spitzenausgang
    5A
  • Strom - hoch, niedrig
    2.4A, 2.6A
  • Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.)
    -
SIDC02D60F6X1SA1

SIDC02D60F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SID1132K

SID1132K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SIDC03D120F6X1SA1

SIDC03D120F6X1SA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 2A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SID1102K

SID1102K

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1182KQ-TL

SID1182KQ-TL

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1182K-TL

SID1182K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1132KQ

SID1132KQ

Beschreibung: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1183K-TL

SID1183K-TL

Beschreibung: IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SIDC01D120H6

SIDC01D120H6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SIDC01D60C6

SIDC01D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SID1182K

SID1182K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1102K-TL

SID1102K-TL

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1182KQ

SID1182KQ

Beschreibung: 8A, 1200V REINFORCED ISOLATION,

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1132K-TL

SID1132K-TL

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1112K

SID1112K

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1183K

SID1183K

Beschreibung: DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1132KQ-TL

SID1132KQ-TL

Beschreibung: 2.5A, 1200V REINFORCED ISOLATION

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SIDC02D60C6X1SA4

SIDC02D60C6X1SA4

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
SID1112K-TL

SID1112K-TL

Beschreibung: DGTL ISO GATE DRVR

Hersteller: Power Integrations
vorrätig
SID1152K

SID1152K

Beschreibung: DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B

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